HS8K1TB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR HS8K1TB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: HS8K1TB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

HS8K1TB

Símbolo TME:

HS8K1TB

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.76 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.76 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.59 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.59 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.42 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.34 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.31 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.30 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	10/11A
Corriente del drenaje en impulso	40...44A
Poder disipado	2W
Carcasa	uDFN8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	20/16,5mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	6/7,4nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido