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El productor: Infineon (IRF)
Fabricante | Infineon (IRF) | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | HEXFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 55/-55V | |
Corriente del drenaje | 4,7/-3,4A | |
Poder disipado | 2W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 50/105mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 24/26nC | |
Clase de canal | enriquecido |