IRF7379TRPBF
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5,8/-4,3A; 2,5W; SO8
El productor: INFINEON TECHNOLOGIES
Denominación de fabricante:
IRF7379TRPBF
Símbolo TME:
IRF7379TRPBF
Especificación
Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | HEXFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30/-30V | |
Corriente del drenaje | 5,8/-4,3A | |
Poder disipado | 2,5W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 45/90mΩ | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.43 g
Certificados
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* IRF7379TRPBFNúmero de unidades (Multiplicidad: 4 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 4000 und - 0.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 4000 und - 0.33 USD