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El productor: INFINEON TECHNOLOGIES
Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | HEXFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30/-30V | |
Corriente del drenaje | 3,5/-2,3A | |
Poder disipado | 2W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,1/0,25Ω | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina | |
Clase de canal | enriquecido |