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Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -60V | |
Corriente del drenaje | -5,6A | |
Corriente del drenaje en impulso | -35A | |
Poder disipado | 42W | |
Carcasa | DPAK, TO252 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,28Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 19nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |