IRL6372TRPBF
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8,1A; 2,5W; SO8
El productor: INFINEON TECHNOLOGIES
Denominación de fabricante:
IRL6372TRPBF
Símbolo TME:
IRL6372TRPBF
Especificación
Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | HEXFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30V | |
Corriente del drenaje | 8,1A | |
Poder disipado | 2,5W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 17,9mΩ | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | logic level |
Peso bruto0.113 g
Certificados
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Método de envasado por el fabricanteRulo = 4 000 und