IXA30RG1200DHGLB
Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SMT
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXA30RG1200DHGLB
Símbolo TME:
IXA30RG1200DHGLB
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | diodo/transistor | |
Topología | boost chopper | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 30A | |
Carcasa | SMPD-B | |
Montaje eléctrico | SMT | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 75A | |
Poder disipado | 147W | |
Tecnología | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
Peso bruto7.95 g
Certificados
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* IXA30RG1200DHGLBNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
38 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 6.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 6.05 USD
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 20 und