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IXA40RG1200DHGLB

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SMT

El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
IXA40RG1200DHGLB
Símbolo TME:
IXA40RG1200DHGLB

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
boost chopper
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
43A
Carcasa
SMPD-B
Montaje eléctrico
SMT
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
105A
Poder disipado
215W
Tecnología
ISOPLUS™, Sonic FRD™
Peso bruto8.015 g
Certificados

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