IXBF20N360
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3,6kV; 20A; 230W
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBF20N360
Símbolo TME:
IXBF20N360
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Tensión colector-emisor | 3,6kV | |
Corriente de colector | 20A | |
Poder disipado | 230W | |
Carcasa | ISOPLUS i4-pac™ x024c | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 220A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 110nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto5.69 g
Certificados
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* IXBF20N360Número de unidades (Multiplicidad: 300)
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Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 62.10 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 62.10 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 25 und