IXBH10N170
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBH10N170
Símbolo TME:
IXBH10N170
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Tensión colector-emisor | 1,7kV | |
Corriente de colector | 10A | |
Poder disipado | 140W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 40A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 30nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 63ns | |
Tiempo de desconexión | 1,8µs | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto6.125 g
Certificados
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* IXBH10N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
20 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 9.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 9.78 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 8.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 8.63 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 8.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 8.24 USD
Producto difícil a conseguir
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und