IXBH42N170
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; TO247-3
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBH42N170
Símbolo TME:
IXBH42N170
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™, FRED | |
Tensión colector-emisor | 1,7kV | |
Corriente de colector | 42A | |
Poder disipado | 360W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 300A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 188nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 224ns | |
Tiempo de desconexión | 1,07µs | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto6.1 g
Certificados
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* IXBH42N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 24.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 24.88 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und