IXBH42N170A
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO247-3
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBH42N170A
Símbolo TME:
IXBH42N170A
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Tensión colector-emisor | 1,7kV | |
Corriente de colector | 21A | |
Poder disipado | 357W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 265A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 188nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 33ns | |
Tiempo de desconexión | 308ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto6.175 g
Certificados
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* IXBH42N170ANúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
300 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 32.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 32.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 31.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 31.09 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 29.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 29.93 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 28.77 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 28.77 USD
Producto difícil a conseguir
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und