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IXBH6N170

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3


El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
IXBH6N170
Símbolo TME:
IXBH6N170

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de transistor
IGBT
Tecnología
BiMOSFET™
Tensión colector-emisor
1,7kV
Corriente de colector
6A
Poder disipado
75W
Carcasa
TO247-3
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
36A
Montaje
THT
Carga de puerta
17nC
Clase de empaquetado
tubo
Tiempo de conexión
104ns
Tiempo de desconexión
700ns
Propiedades de elementos semiconductores
de alta tensión
Peso bruto6.11 g
Certificados
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IXBH6N170
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Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 7.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 7.36 USD
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Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und