IXBK55N300
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBK55N300
Símbolo TME:
IXBK55N300
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Tensión colector-emisor | 3kV | |
Corriente de colector | 55A | |
Poder disipado | 625W | |
Carcasa | TO264 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 600A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 335nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 637ns | |
Tiempo de desconexión | 475ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto9.87 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores IGBT THT IXYS,
* IXBK55N300Número de unidades (Multiplicidad: 1)
11 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 97.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 97.45 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 93.95 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 93.95 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 25 und