IXBN42N170A
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBN42N170A
Símbolo TME:
IXBN42N170A
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,7kV | |
Corriente de colector | 21A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 265A | |
Poder disipado | 313W | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.86 g
Certificados
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* IXBN42N170ANúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
4 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 43.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 43.18 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 38.82 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 38.82 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 36.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 36.18 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und