IXBT16N170A
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBT16N170A
Símbolo TME:
IXBT16N170A
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Tensión colector-emisor | 1,7kV | |
Corriente de colector | 10A | |
Poder disipado | 150W | |
Carcasa | TO268 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 40A | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 65nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 43ns | |
Tiempo de desconexión | 370ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto4.015 g
Certificados
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* IXBT16N170ANúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 12.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 12.71 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 11.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 11.41 USD
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und