IXBT24N170
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBT24N170
Símbolo TME:
IXBT24N170
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Tensión colector-emisor | 1,7kV | |
Corriente de colector | 24A | |
Poder disipado | 250W | |
Carcasa | TO268 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 230A | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 0,14µC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 190ns | |
Tiempo de desconexión | 1285ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto4.08 g
Certificados
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* IXBT24N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
23 en stock en TME
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Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 15.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 15.98 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 14.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 14.93 USD
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und