IXBT2N250
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBT2N250
Símbolo TME:
IXBT2N250
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Tensión colector-emisor | 2,5kV | |
Corriente de colector | 2A | |
Poder disipado | 32W | |
Carcasa | TO268 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 13A | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 10,6nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 310ns | |
Tiempo de desconexión | 252ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto4.01 g
Certificados
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* IXBT2N250Número de unidades (Multiplicidad: 1)
300 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 21.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 21.05 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 20.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 20.24 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 19.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 19.43 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und