IXBT6N170
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBT6N170
Símbolo TME:
IXBT6N170
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™, FRED | |
Tensión colector-emisor | 1,7kV | |
Corriente de colector | 6A | |
Poder disipado | 75W | |
Carcasa | D3PAK | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 36A | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 17nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 104ns | |
Tiempo de desconexión | 700ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto3.98 g
Certificados
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* IXBT6N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
30 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 15.76 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 15.76 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 11.94 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 11.94 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 11.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 11.00 USD
Precio neto para cantidades a partir de 15 und - 10.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 15 und - 10.74 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und