IXBX75N170A
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 65A; 1,04kW; PLUS247™
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXBX75N170A
Símbolo TME:
IXBX75N170A
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | BiMOSFET™ | |
Tensión colector-emisor | 1,7kV | |
Corriente de colector | 65A | |
Poder disipado | 1,04kW | |
Carcasa | PLUS247™ | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 300A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 358nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 65ns | |
Tiempo de desconexión | 595ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto6.778 g
Certificados
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* IXBX75N170ANúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 27.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 27.46 USD
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und