IXFN140N30P
Módulo; transistor individual; 300V; 110A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN140N30P
Símbolo TME:
IXFN140N30P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 300V | |
Corriente del drenaje | 110A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 24mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 300A | |
Poder disipado | 700W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 185nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.02 g
Certificados
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* IXFN140N30P
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Número de unidades (Multiplicidad: 300)
Producto difícil a conseguir
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 31.84 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 31.84 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und