IXFN170N25X3
Módulo; transistor individual; 250V; 146A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN170N25X3
Símbolo TME:
IXFN170N25X3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 250V | |
Corriente del drenaje | 146A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 7,4mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 400A | |
Poder disipado | 390W | |
Tecnología | HiPerFET™, X3-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 0,19µC | |
Tiempo de disponibilidad | 135ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.14 g
Certificados
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* IXFN170N25X3Número de unidades (Multiplicidad: 300)
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Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 28.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 28.29 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und