IXFN170N65X2
Módulo; transistor individual; 650V; 170A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN170N65X2
Símbolo TME:
IXFN170N65X2
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 170A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 13mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 340A | |
Poder disipado | 1,17kW | |
Tecnología | HiPerFET™, X2-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 434nC | |
Tiempo de disponibilidad | 270ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.09 g
Certificados
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* IXFN170N65X2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 53.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 53.14 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 47.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 47.53 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 44.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 44.63 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und