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Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 70V | |
Corriente del drenaje | 340A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 4mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 1,36kA | |
Poder disipado | 700W | |
Tecnología | HiPerFET™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 0,49µC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |