IXFN360N15T2
Módulo; transistor individual; 150V; 310A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN360N15T2
Símbolo TME:
IXFN360N15T2
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 150V | |
Corriente del drenaje | 310A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 4mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 900A | |
Poder disipado | 1,07kW | |
Tecnología | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 715nC | |
Tiempo de disponibilidad | 150ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.17 g
Certificados
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* IXFN360N15T2
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Número de unidades (Multiplicidad: 300)
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 45.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 45.07 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und