IXFN38N100P
Módulo; transistor individual; 1kV; 38A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN38N100P
Símbolo TME:
IXFN38N100P
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 1kV | ||
Corriente del drenaje | 38A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,21Ω | ||
Corriente del drenaje en impulso | 120A | ||
Poder disipado | 1kW | ||
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 0,35µC | ||
Tiempo de disponibilidad | 300ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±40V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.24 g
Certificados
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* IXFN38N100PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 44.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 44.98 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 42.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 42.15 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und