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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	300V
Corriente del drenaje	73A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	45mΩ
Corriente del drenaje en impulso	292A
Poder disipado	520W
Tecnología	HiPerFET™
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	360nC
Tiempo de disponibilidad	200ns
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

IXFN73N30

Módulo; transistor individual; 300V; 73A; SOT227B; atornillado

Especificación