IXG70IF1200NA
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXG70IF1200NA
Símbolo TME:
IXG70IF1200NA
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 86A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tecnología | X2PT | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto100 g
Certificados
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* IXG70IF1200NANúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 31.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 31.20 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 27.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 27.97 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 24.73 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 24.73 USD