IXGF32N170
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXGF32N170
Símbolo TME:
IXGF32N170
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | NPT | |
Tensión colector-emisor | 1,7kV | |
Corriente de colector | 19A | |
Poder disipado | 200W | |
Carcasa | ISOPLUS i4-pac™ x024c | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 200A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 146nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 90ns | |
Tiempo de desconexión | 920ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión |
Peso bruto8 g
Certificados
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* IXGF32N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 22.51 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 22.51 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 20.61 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 20.61 USD