IXGN100N170
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXGN100N170
Símbolo TME:
IXGN100N170
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,7kV | |
Corriente de colector | 95A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 600A | |
Poder disipado | 735W | |
Tecnología | NPT | |
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.13 g
Certificados
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* IXGN100N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 68.49 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 68.49 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 63.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 63.16 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 58.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 58.63 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 54.57 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 54.57 USD
Precio neto para cantidades a partir de 40 und - 53.75 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 40 und - 53.75 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und