IXGN100N170
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXGN100N170
Símbolo TME:
IXGN100N170
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión de retorno máx. | 1,7kV | ||
Corriente de colector | 95A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 600A | ||
Poder disipado | 735W | ||
Tecnología | NPT | ||
Propiedades de elementos semiconductores | de alta tensión | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.13 g
Certificados
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* IXGN100N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 67.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 67.21 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 61.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 61.97 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 57.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 57.53 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 53.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 53.54 USD
Precio neto para cantidades a partir de 40 und - 52.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 40 und - 52.74 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und