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IXGN200N60B3

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B

El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
IXGN200N60B3
Símbolo TME:
IXGN200N60B3
IXYS - logo

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión de retorno máx.
0,6kV
Corriente de colector
200A
Carcasa
SOT227B
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
1,2kA
Poder disipado
830W
Tecnología
GenX3™, PT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto37.1 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT IXYS,
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IXGN200N60B3
5 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 46.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 46.58 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und