IXGN50N120C3H1
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXGN50N120C3H1
Símbolo TME:
IXGN50N120C3H1
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | ||
Corriente de colector | 50A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 240A | ||
Poder disipado | 460W | ||
Tecnología | GenX3™, PT | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.05 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT IXYS,
* IXGN50N120C3H1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 48.02 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 48.02 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 43.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 43.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 38.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 38.26 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und