IXTN120P20T
Módulo; transistor individual; -200V; -106A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN120P20T
Símbolo TME:
IXTN120P20T
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | -200V | |
Corriente del drenaje | -106A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 30mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | -400A | |
Poder disipado | 830W | |
Tecnología | TrenchP™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 740nC | |
Tiempo de disponibilidad | 300ns | |
Tensión puerta-fuente | ±15V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto29.575 g
Certificados
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* IXTN120P20TNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 65.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 65.29 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 57.66 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 57.66 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 51.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 51.85 USD