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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	40V
Corriente del drenaje	660A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	0,85mΩ
Corriente del drenaje en impulso	1,8kA
Poder disipado	1,04kW
Tecnología	TrenchT4™
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	0,86µC
Tiempo de disponibilidad	60ns
Tensión puerta-fuente	±15V
Montaje mecánico	atornillado

IXTN660N04T4

Módulo; transistor individual; 40V; 660A; SOT227B; atornillado

Especificación