IXXP12N65B4D1
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXXP12N65B4D1
Símbolo TME:
IXXP12N65B4D1
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | GenX4™, Trench, XPT™ | |
Tensión colector-emisor | 650V | |
Corriente de colector | 12A | |
Poder disipado | 160W | |
Carcasa | TO220-3 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 70A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 34nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 44ns | |
Tiempo de desconexión | 245ns |
Peso bruto2 g
Certificados
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* IXXP12N65B4D1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 3.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 3.12 USD
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