IXYA8N90C3D1
Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXYA8N90C3D1
Símbolo TME:
IXYA8N90C3D1
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | GenX3™, Planar, XPT™ | |
Tensión colector-emisor | 900V | |
Corriente de colector | 8A | |
Poder disipado | 125W | |
Carcasa | TO263 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 48A | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 13,3nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 39ns | |
Tiempo de desconexión | 238ns |
Peso bruto2 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores IGBT SMD IXYS,
* IXYA8N90C3D1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 5.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 5.00 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 4.50 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 4.50 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 3.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 3.98 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 3.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 3.58 USD