IXYN75N65C3D1
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXYN75N65C3D1
Símbolo TME:
IXYN75N65C3D1
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 650V | |
Corriente de colector | 75A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 360A | |
Poder disipado | 600W | |
Tecnología | GenX3™, XPT™ | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXYN75N65C3D1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 35.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 35.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 31.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 31.72 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 28.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 28.06 USD