IXYN82N120C3H1
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 66A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXYN82N120C3H1
Símbolo TME:
IXYN82N120C3H1
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 66A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 320A | |
Poder disipado | 500W | |
Tecnología | GenX3™, XPT™ | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.22 g
Certificados
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* IXYN82N120C3H1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 53.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 53.13 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und