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MBR2H200SFT3G

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SOD123F; SMD; 200V; 2A

NOVEDAD
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
MBR2H200SFT3G
Símbolo TME:
MBR2H200SFT3G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de diodo
rectificador de barrera Schottky
Carcasa
SOD123F
Montaje
SMD
Tensión de retorno máx.
200V
Corriente conductiva
2A
Estructura del semiconductor
diodo individual
Corriente conductiva máx.
0,78V
Corriente conductiva máx.
4A
Corriente en impulso max.
30A
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Peso bruto0.025 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Diodos Schottky SMD ONSEMI,
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MBR2H200SFT3G
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Precio neto para cantidades a partir de 10000 und - 0.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10000 und - 0.22 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 10 000)