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MDNA280UB2200PTED

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV

El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
MDNA280UB2200PTED
Símbolo TME:
MDNA280UB2200PTED

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
boost chopper, rectificador de 3-fásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,7kV
Corriente de colector
100A
Carcasa
E2-Pack
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
200A
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
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MDNA280UB2200PTED
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