MG12200D-BN2MM
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
MG12200D-BN2MM
Símbolo TME:
MG12200D-BN2MM
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor/transistor | |
Topología | medio puente IGBT | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 200A | |
Carcasa | Y3-DCB | |
Montaje eléctrico | atornillado, FASTON terminales | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 400A | |
Tecnología | Field Stop, Trench | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto100 g
Certificados
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* MG12200D-BN2MMNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 198.73 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 198.73 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 177.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 177.93 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 158.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 158.29 USD