MID200-12A4
Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; NPT
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
MID200-12A4
Símbolo TME:
MID200-12A4
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | ||
Estructura del semiconductor | diodo/transistor | ||
Topología | boost chopper | ||
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | ||
Corriente de colector | 180A | ||
Carcasa | Y3-DCB | ||
Uso | motores | ||
Montaje eléctrico | atornillado, FASTON terminales | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 360A | ||
Poder disipado | 1,13kW | ||
Tecnología | NPT | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto10 g
Certificados
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* MID200-12A4Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 189.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 189.31 USD
Precio neto para cantidades a partir de 4 und - 168.79 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 4 und - 168.79 USD
Precio neto para cantidades a partir de 6 und - 151.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6 und - 151.68 USD