MID200-12A4
Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; NPT
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
MID200-12A4
Símbolo TME:
MID200-12A4
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | diodo/transistor | |
Topología | boost chopper | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 180A | |
Carcasa | Y3-DCB | |
Uso | motores | |
Montaje eléctrico | atornillado, FASTON terminales | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 360A | |
Poder disipado | 1,13kW | |
Tecnología | NPT | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto10 g
Certificados
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* MID200-12A4Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 192.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 192.71 USD
Precio neto para cantidades a partir de 4 und - 171.81 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 4 und - 171.81 USD
Precio neto para cantidades a partir de 6 und - 154.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6 und - 154.40 USD