MIEB101H1200EH
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente H; Urmax: 1,2kV; 630W
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
MIEB101H1200EH
Símbolo TME:
MIEB101H1200EH
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor/transistor | |
Topología | puente H | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 128A | |
Carcasa | E3-Pack | |
Uso | fotovoltáica, motores | |
Montaje eléctrico | Press-in PCB | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 200A | |
Poder disipado | 630W | |
Tecnología | Sonic FRD™, SPT+ | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto10 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT IXYS,
* MIEB101H1200EHNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 194.50 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 194.50 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 171.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 171.62 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 154.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 154.46 USD