MIEB101W1200EH
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 630W
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
MIEB101W1200EH
Símbolo TME:
MIEB101W1200EH
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | ||
Estructura del semiconductor | transistor/transistor | ||
Topología | puente trifásico IGBT | ||
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | ||
Corriente de colector | 128A | ||
Carcasa | E3-Pack | ||
Uso | fotovoltáica, motores | ||
Montaje eléctrico | Press-in PCB | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 200A | ||
Poder disipado | 630W | ||
Tecnología | Sonic FRD™, SPT+ | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto10 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT IXYS,
* MIEB101W1200EHNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 244.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 244.19 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 214.52 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 214.52 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 191.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 191.70 USD