MKI100-12F8
Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente H; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
MKI100-12F8
Símbolo TME:
MKI100-12F8
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | diodo/transistor | |
Topología | puente H | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 125A | |
Carcasa | E3-Pack | |
Montaje eléctrico | Press-in PCB | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 200A | |
Poder disipado | 640W | |
Tecnología | HiPerFRED™, NPT | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto300 g
Certificados
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* MKI100-12F8Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 259.10 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 259.10 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 233.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 233.88 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 206.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 206.36 USD