MMBT7002KDW

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.24 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.17 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.11 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.07 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.06 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.05 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.04 USD

Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.04 USD

Precio neto para cantidades a partir de 24000 und - 0.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24000 und - 0.03 USD

Precio neto para cantidades a partir de 30000 und - 0.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30000 und - 0.03 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	DIOTEC SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	60V
Corriente del drenaje	0,3A
Corriente del drenaje en impulso	1,2A
Poder disipado	0,35W
Carcasa	SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	4Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	0,44nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD

MMBT7002KDW

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,3A; Idm: 1,2A; 0,35W; ESD