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MMBTH10M3T5G

Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0,64W; SOT723

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
MMBTH10M3T5G
Símbolo TME:
MMBTH10M3T5G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
NPN
Polarización
bipolar
Clase de transistor
RF
Tensión colector-emisor
25V
Poder disipado
0,64W
Carcasa
SOT723
Montaje
SMD
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Frecuencia
650MHz
Peso bruto0.01 g
Certificados
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MMBTH10M3T5G
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