MMIX2F60N50P3
Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
MMIX2F60N50P3
Símbolo TME:
MMIX2F60N50P3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar3™ | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 30A | |
Corriente del drenaje en impulso | 150A | |
Poder disipado | 320W | |
Carcasa | SMPD | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,12Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 96nC | |
Clase de canal | enriquecido | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns |
Peso bruto7.5 g
Certificados
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* MMIX2F60N50P3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
20 en stock en TME
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 20 und