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MSC080SMA330B4N

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3,3kV; 27A; Idm: 107A; 439W

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
MSC080SMA330B4N
Símbolo TME:
MSC080SMA330B4N

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
SiC
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
3,3kV
Corriente del drenaje
27A
Corriente del drenaje en impulso
107A
Poder disipado
439W
Carcasa
TO247-4-notch
Resistencia en estado de transferencia
106mΩ
Montaje
THT
Carga de puerta
161nC
Clase de empaquetado
tubo
Clase de canal
enriquecido
Propiedades de elementos semiconductores
derivación Kelvin
Embalaje estándar del fabricante
30uds.
Familia
SMA
Peso bruto1 g
Certificados

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca

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MSC080SMA330B4N
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