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MSC080SMB120SDT/RM

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 30A; Idm: 111A; 268W


El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
MSC080SMB120SDT/RM
Símbolo TME:
MSC080SMB120SDT/RM

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
SiC
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
30A
Corriente del drenaje en impulso
111A
Poder disipado
268W
Carcasa
TO263-7XL
Resistencia en estado de transferencia
0,1Ω
Montaje
SMD
Carga de puerta
64nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Propiedades de elementos semiconductores
derivación Kelvin
Embalaje estándar del fabricante
100uds.
Familia
SMB
Peso bruto1.815 g
Certificados

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca

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MSC080SMB120SDT/RM
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 5.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 5.35 USD
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